随着 2 奈米以下制程逐步逼近量产阶段，High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）设备被视为延续摩尔定律的重要关键。然而，在技术突破的光环之下，产业界也开始讨论一个更现实的问题：当导入门槛与投资规模再创新高，是否将进一步加速全球半导体产业的寡占化？

图一 : 高数值孔径极紫外光刻机

High NA EUV 相较於现行 EUV 系统，透过更高的数值孔径提升解析度，使晶片制造能在更少的多重曝光步骤下完成更细微的线宽图案化。这对於 2 奈米以下节点的逻辑晶片而言至关重要，不仅有助於提升电晶体密度，也可改善功耗与效能表现。然而，这项技术升级的代价极为惊人。单一 High NA EUV 设备价格已突破数亿美元，整体产线建置更涉及全新的光学系统、光罩设计、厂房震动控制与温度稳定条件，对晶圆厂而言是一项庞大的系统工程。

先进制程的资本支出原本就呈现急速攀升趋势，从 5 奈米、3 奈米到 2 奈米，每一次节点演进都需要数百亿美元等级的投资。High NA EUV 的导入，使得门槛再度抬高。未来能够稳定量产 2 奈米以下制程的厂商，可能仅限於少数具备深厚资本与长期技术积累的企业。这意味着先进制程的供应来源将更加集中，晶片设计公司对少数晶圆代工厂的依赖度可能进一步提高，议价能力与产能分配权也将更偏向制造端。
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