根据英飞凌科技近期发布的《2026年GaN技术展??》，氮化??（GaN）正快速从新兴材料转变为主流功率半导体技术，推动电力电子产业进入高效率、高功率密度与小型化的新阶段。产业分析显示，全球GaN功率半导体市场预计在2030年达到约30亿美元，2025至2030年间的年复合成长率（CAGR）高达44%，显示市场正处於高速扩张期。

图一 : 氮化??在2030年市场规模上看30亿美元

英飞凌在报告中指出，GaN应用已开始在市场落地，并在多个产业获得关注。整体而言，GaN的快速成长主要来自两大趋势：一是大规模产能扩张降低成本门槛，二是高效率电源需求在AI、电动车与再生能源领域持续攀升。

从技术角度来看，GaN之所以被视为下一世代功率半导体关键材料，在於其物理特性优於传统矽（Si）。GaN具备更高的电子迁移率与临界电场强度，能在更高开关频率下运作，同时降低导通与开关损耗。这意味着电源系统可设计得更小、更轻、更高效，有助於节能减碳并提升系统整体效能。
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