CTIMES- ST和Exagan携手开启GaN发展新章节

ST和Exagan携手开启GaN发展新章节

氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm²/Vs，而矽的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm²/Vs。因此，GaN的固有特性，让元件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的矽基元件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。

在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关元件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET矽功率元件，GaN功率元件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这些优势正是当下高功耗、高密度系统、巨量资料伺服器和电脑所需要的。