创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度

要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）用来作为底层快取（LLC），目前面临了三项挑战；微缩性、动态功耗，以及可供量产且尺寸紧凑的零磁场磁矩翻转技术。比利时微电子研究中心（imec）在2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上提出一套创新的SOT-MRAM架构，能够一次解决这些挑战。

近年来，SOT-MRAM技术的开发热度在半导体业攀升。SOT-MRAM是一种非挥发性记忆体，具备优良性能，适合用来当作嵌入式记忆体，例如高效能运算与行动装置的三级（L3）与四级以上快取记忆体。目前的快取记忆体通常采用具备极速读写能力的挥发性SRAM元件。

然而，由於微缩限制，SRAM难以持续扩充位元密度，使得开发人员不得不寻求替代元件。此外，在非运作状态下，SRAM储存单元的散热问题越来越严重，导致待机功耗增加。MRAM等非挥发性记忆体不仅有??缩小储存单元的尺寸，利用其非挥发性，还能解决待机功耗的问题。
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