Transphorm推出叁考设计 加速氮化??电源配接器开发

Transphorm推出七款叁考设计，旨在加快采用氮化??的USB-C PD电源配接器的研发。该叁考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，涵盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。

图一 : Transphorm推出叁考设计组合，加快USB-C PD氮化??电源配接器的开发

SuperGaN技术的差异化优势

电源配接器叁考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化??元件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化??元件 相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。
...
...

另一名雇主	限られたニュース	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10/ごとに 30 日間	0/ごとに 30 日間	付费下载
VIP会员	无限制	25/ごとに 30 日間	付费下载