Imec展示高数值孔径EUV生态系统进展 率先导入ASML曝光机

於本周举行的2024年国际光学工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）将呈现在极紫外光（EUV）制程、光罩和量测技术方面取得的进展，这些技术都在为实现高数值孔径（high-NA）EUV微影应用而筹备。重大成果包含光阻层及其底部薄膜层的开发、光罩改良、光学邻近修正技术（OPC）的开发、光罩解析度场域拼接（field stitching）技术、减少随机缺陷，以及经过改良的量测及检测技术。利用这些研究成果，imec展现蓄势待发的技术量能，把极紫外光（EUV）制程导入其与艾司摩尔（ASML）为首台高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）曝光机而共同建立的High-NA EUV实验室。

imec先进图形化制程与材料研究计画的资深??总裁（SVP）Steven Scheer表示：「ASML已经组装了首台高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）曝光机 TWINSCAN EXE:5000，第一批晶圆也很快就会完成曝光。在接下来几个月，由imec与ASML共同建立的High-NA EUV实验室也会开始运作，并开放给导入高数值孔径（high-NA）微影技术的客户使用。利用已安装的设备和制程，High-NA EUV实验室能让这些客户在其晶圆厂设备开始动工前，提前钻研High-NA EUV技术。一直以来，imec携手ASML和我们建立的广泛供应链网络紧密合作，确保先进的光阻材料、光罩、量测技术、（变像）成像策略和图形化技术能够及时供应需求。2024年先进微影成形技术会议有超过25篇相关论文的发表，这展现了为驱动高数值孔径微影而开发的制程量能已经蓄势待发。」

场域拼接技术是实现高数值孔径（high-NA）微影的关键技术；因为使用变像镜头，也就是x轴和y轴的缩小倍率不同的一种镜头，这种镜头所形成的场域大小是传统曝光机的一半。imec将分享与ASML和imec光罩厂的夥伴对NXE:3400C曝光机进行研究的最新洞见。光罩解析度拼接技术将能降低为因应场域尺寸缩小而改动设计的需求。
...
...

另一名雇主	限られたニュース	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10/ごとに 30 日間	0/ごとに 30 日間	付费下载
VIP会员	无限制	25/ごとに 30 日間	付费下载