Intel 4制程技术细节曝光 具备高效能运算先进FinFET

英特尔近期於美国檀香山举行的年度VLSI国际研讨会，公布Intel 4制程的技术细节。相较於Intel 7，Intel 4於相同功耗提升20％以上的效能，高效能元件库（library cell）的密度则是2倍，同时达成两项关键目标：它满足开发中产品的需求，包括PC客户端的Meteor Lake，并推进先进技术和制程模组。

图一 : 英特尔公布Intel 4制程的技术细节。

对於英特尔的4年之路，Intel 4是如何达成这些效能数据？ Intel 4於鳍片间距、接点间距以及低层金属间距等关键尺寸（Critical Dimension），持续朝向微缩的方向前行，并同时导入设计技术偕同最隹化，缩小单一元件的尺寸。透过FinFET材料与结构上的改良提升效能，Intel 4单一N型半导体或是P型半导体，其鳍片数量从Intel 7高效能元件库的4片降低至3片。综合上述技术，使得Intel 4能够大幅增加逻辑元件密度，并缩减路径延迟和降低功耗。

Intel 7已导入自对准四重成像技术（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP）和主动元件闸极上接点（Contact Over Active Gate、COAG）技术来提升逻辑密度。前者透过单次微影和两次沉积、蚀刻步骤，将晶圆上的微影图案缩小4倍，且没有多次微影层叠对准的问题；後者则是将闸极接点直接设在闸极上方，而非传统设在闸极的一侧，进而提升元件密度。Intel 4更进一步加入网格布线方案（gridded layout scheme），简单化并规律化电路布线，提升效能同时并改善生产良率。
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