Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET

日前，为满足对可携式设备中更小元件的需求，Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET，该元件采用MICRO FOOT晶片级封装，具有此类元件中最薄厚度及最低导通电阻。

Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积。这也是在1.2V额定电压时提供导通电阻的首款此类元件。该新元件的典型应用将包括手机、PDA、数位相机、MP3播放器及智慧型电话等可携式设备中的负载开关及电池保护。

Si8441DB提供了1.2V VGS时0.600Ω至4.5V VGS时0.080Ω的导通电阻范围，且具有最高±5V的栅源电压。1.2V额定电压时的低导通电阻降低了对电平位移电路的需求，从而节约了可携式电子设计中的空间。
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