Ramtron推出首款2Mb串列FRAM记忆体

Ramtron成功开发业界首款200万位元（Mb）、采用8脚TDFN（5.0×6.0mm）封装的串列F-RAM记忆体。FM25H20以130奈米CMOS制程生产，是一款高密度的非挥发性F-RAM记忆体，它以低功耗操作，并且具有高速串列周边介面（SPI）。这款3V、2Mb串列F-RAM元件可以最大的汇流排速度写入，具有几??没有限制的耐用性，更大的资料收集能力，及采用微型封装，这些使得系统设计人员能够在计量和印表机等高级应用中减少成本和板卡空间。

FM25H20是低功耗和最小板卡空间精密电子系统中串列快闪记忆体的理想替代产品。这些应用包括可携式医疗设备如助听器等，实际上，它们是微型资料处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与快闪记忆体相比，F-RAM的优势包括可以大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比快闪记忆体高出更多。

Ramtron策略市场拓展经理Duncan Bennett表示：「对於那些需要在其新一代应用中提高资料收集能力，却不想增加板卡空间的计量和印表机客户而言，这款2Mb串列F-RAM是自然的产品延伸。FM25H20在占位面积一样小的情况下，为50万位元串列F-RAM客户提供高达四倍的储存能力。除提升现有系统外，这种技术的发展还推动F-RAM得以进入多个需要低功耗记忆体而空间严重受限的新兴市场，如可携式医疗设备等。」

FM25H20是一款采256K×8位元安排的非挥发性记忆体，以高达40MHz的汇流排速度进行读写操作，具有几??没有限制的耐用性、10年的资料保存能力，以及低工作电流。该元件具有工业标准的SPI介面，优化了F-RAM的高速写入能力。FM25H20还具有软体和硬体防写入功能，能避免意外的写入与资料损坏。

这款2Mb串列F-RAM以低功耗工作，在40MHz下读/写操作的耗电低於10mA，待机状态下耗电为80µA（典型值），超低电流睡眠模式下耗电为3µA（典型值）。FM25H20与同效的串列快闪记忆体元件接脚相容，并且具备快速存取、高耐用性和低工作电流等特性，比快闪记忆体更有优势。该元件在整个工业温度范围内（-40℃至+85℃）、在2.7至3.6V电压下工作。

FM25H20以德州仪器已被验证过的130奈米CMOS制程为基础。在标准CMOS 130 nm逻辑制程内嵌入非挥发性F-RAM模组，仅使用了两个额外的光罩步骤。