CTIMES- 新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮

目前有數家晶片製造商，正致力於開發名為STT-MRAM的新一代記憶體技術，然而這項技術仍存在其製造和測試等面向存在著諸多挑戰。STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中，結合數種常規記憶體的特性而獲得市場重視。在多年來的發展中發現，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃記憶體的穩定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性，在晶片中提供非揮發性儲存的功能。

STT-MRAM受市場關注

儘管，STT-MRAM這項技術看起來雖然有其優勢，卻也高度複雜，這就是為什麼它的發展歷程比預期的時間還更長。包括三星、台積電、英特爾、GlobalFoundries 等，都正在持續開發STT-MRAM技術。儘管如此，晶片製造商在其晶圓設備上面臨到一些挑戰，例如必須改進現有的生產設備，並將其升級到支援28nm或22nm甚至更新的奈米製程。
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