RFMD擴展北京據點產能

RF Micro Devices近日宣佈其於中國北京據點的重要擴展。此擴展包含封裝產能的提升、以及先進技術的導入。此次擴展預期將對RFMD的POLARIS 3 RF解決方案提供更高支援，其預期於此季度進入量產。

RF Micro Devices表示，此次擴展能以近雙倍強化RFMD領導業界之傳輸模組的封裝能力。打線接合及測試能力亦將於本季度擴展，全數產能預計於2007年11月實現；此外，RFMD北京設施新增的先進功能，將包括覆晶封裝技術及該公司專利申請中的內部RF屏蔽技術。RFMD目前正開發專利的RF測試平台，並積極針對先進收發器模組測試與其他合作廠商合作。而200,000平方英呎的擴展及新致能科技，預期將簡化RFMD的供應鏈、加速上市時程，並降低製造及庫存成本。

RFMD的POLARIS 3是一項完整的RF解決方案。其具備高度整合的無線電收發器模組，包含單晶CMOS EDGE 收發器、完整的石英振盪器、以及所有必要的接濾波器功能。此解決方案同樣具備RFMD前端技術，包括功率放大器和傳送/接收開關。而革命性的POLARIS 3 RF解決方案更包含內建RF屏蔽，將能獲益於RFMD專利申請中的內建屏蔽技術。
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