RFMD發表48V高功率氮化鎵電晶體

針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices,Inc.，近日發表RF393X家族的48V氮化鎵（GaN）功率電晶體。RF393X產品系列可提供從10W到120W的功率效能，並具備非常寬廣的可調諧頻寬－展現RFMD GaN技術相對於競爭GaAs及矽晶LDMOS技術之高功率與頻寛之優質結合。

RFMD的RF393X產品系列包含5款48V GaN非匹配功率電晶體，而每一款均提供14dB至16dB範圍之增益，以及於2.1GHz時高於65%的高峰值汲極效率。RFMD GaN功率電晶體的優異效能特性，使其成為寛頻、高效能功率放大器應用的理想選擇，例如：廣播電視、無線基礎架構、高功率雷達、航太電子設備等。RFMD估計GaN高功率半導體的總體目標市場約為十億美元，其中，GaN非匹配功率電晶體約為一億五千萬美元。該公司目前已與多重市場中之頂級客戶進行合作，並預計於2007年下半年開始量產。

RFMD目前正開發三個高電壓GaN產品系列。除Gan功率電晶體之外，該公司亦正開發高功率GaN RF積體電路（RFIC）以及高功率GaN匹配電晶體。高功率GaN RFIC能與高功率放大器完全匹配，其於多重八度音頻寛皆能提供高效率，且適用於軍事通訊、公眾行動無線電以及軟體定義無線電（SDR）。此高功率GaN匹配電晶體包括內部匹配元件以提升阻抗和效率，並且適合如高功率雷達和針對WCDMA和WiMAX的基礎架構應用。