瑞薩科技將於11月25日開始接受於SiP（系統級封裝）中採用DDR SDRAM（雙倍資料速率同步動態隨機存取記憶體）快速記憶體晶片之產品訂單；其中的SiP可於單一封裝內，包含多重記憶體和瑞薩科技的高效能微處理器及邏輯晶片。

瑞薩科技表示，新式的DDR SDRAM SiP因CPU和DDR SDRAM間的匯流排連線建置在SiP中。這免除使用者承擔複雜匯流排連線設計的需要，進而使得產品發展成本和發展時間的設計資源，可以減少和縮短。連接DDR SDRAM通常需要使用大量外部被動元件，如用於降低噪音的電容器。此外，在SiP的建置下，所有匯流排連線均為內部，因此不但除去了對多數外部被動元件的需要，更可進而降低產品成本。除此之外，原有被動元件所消耗的功率也可下降，進而降低產品耗電量。單一封裝中容納多重晶片可大幅縮短晶片對晶片間的佈線距離。因此減少了EMI的雜訊，並達到穩定的高速操作。