意法半導體新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 大幅降低開關功率損耗

意法半導體（STMicroelectronics）新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列強化了幾個關鍵參數，以降低系統的功率損失。特別適合返馳式拓撲為基礎的照明應用，例如LED驅動器、HID燈，或是適用於電源適配器和平板顯示器的電源。

圖一

意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列為這種超接面技術樹立了兼具高性能和易用性的標準。MDmesh K6的導通阻抗x晶片面積參數優於市面上現有800V產品，能夠實現結合高功率密度並領先市場效能的緊密全新設計。

此外，K6 系列的閘極閾值電壓相較上一代MDmesh K5更低，可使用更低的驅動電壓，進而降低功耗並提升效能，主要用於待機零功耗的應用。總閘極電荷（Qg）極低，以實現高開關速度和低損耗。
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