意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力

意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技術並整合嵌入式相變記憶體（ePCM）的先進製程，支援下一代嵌入式處理器進化升級。這項新製程技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同研發，使嵌入式處理應用能夠大幅提升性能和降低功耗，同時還能整合容量更大的記憶體和更多的類比和數位外部周邊。搭載新技術的首款下一代STM32微控制器產品將於2024下半年開始提供部分客戶樣片，並預計於2025年下半年排產。

圖一 : 意法半導體突破20奈米技術節點，提升新一代微控制器成本競爭力

意法半導體微控制器、數位IC和射頻產品部總裁Remi El-Ouazzane表示，「身為半導體產業領導之創新企業，意法半導體率先為客戶提供車用級和航太級FD-SOI和PCM技術。我們的下一步行動將從下一代STM32微控制器開始，讓工業應用開發者也能享受到這兩項先進技術帶來的諸多益處。」

技術優勢
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