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GE科学家展示超高温SiC MOSFET产品效能
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2023年06月02日 星期五

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来自通用电气研究(GE Research)的科学家们创造了一项新记录,展示可以承受超过温度 800 ℃的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)。这相较於之前已知的该技术演示高出 200℃,对於极端操作环境中未来应用深具潜力。

图左的棉花糖会在几秒钟内烤熟,但 GE 的 SiC MOSFET 展示可承受高达 800℃的设备,能在极端高温操作环境中控制和监测高超音速飞行器。(source:GE Research)
图左的棉花糖会在几秒钟内烤熟,但 GE 的 SiC MOSFET 展示可承受高达 800℃的设备,能在极端高温操作环境中控制和监测高超音速飞行器。(source:GE Research)

GE多年来通过航空航天业务销售一系列基於 SiC 的电力产品,用於航空航太、工业和军事应用;并不断改良先进的航空系统,寻求实现支持太空探索和高超音速飞行器的新应用,新的温度容限??值被认为将为基於 MOSFET 的电子产品创下纪录。

GE Research 微电子首席工程师Emad Andarawis表示,使用 SiC MOSFET 实现高温??值可以为太空探索和高超音速飞行器的感测、驱动和控制应用开辟新的可能性。他表示:「我们知道要打破新的太空探索和超音速旅行的障碍,将需要能够处理极端高温和操作环境的强大、可靠的电子系统。我们相信已经创造一项纪录,展示800 摄氏度的碳化矽 MOSFET,这是实现这些关键任务目标的一个重要里程碑。」

GE 的 SiC MOSFET还能够控制和监测以 5 马赫或高於 3,500 MPH 的速度行驶的高超音速飞行器。这是当今典型商业客运航班飞行速度的六倍多。

Andarawis 和 GE Research 最近的研究显示,MOSFET 可以扩展可供考虑的可用选项组合。该团队目前正在与 NASA 合作专案,以应用新型 SiC 光电二极管技术来开发研究紫外线成像仪,增强对金星表面的太空任务。GE 研究团队还在洁净室设施(它是一个 28,000 平方英尺的 100 级设施,通过 ISO 9001 认证)制造 NASA 的 JFET,这是为外部半导体合作夥伴所做工作的一部分。

關鍵字: SiC MOSFET  GE 
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