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应材Sculpta图案化解决方案 拓展埃米时代晶片制造能力
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年02月29日 星期四

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随着台湾晶圆代工大厂持续向外扩充版图,并将制程推进至2nm以下,正加速驱动晶片制造厂商进入埃米时代,也越来越受惠於新材料工程和量测技术。美商应用材料公司则透过开发出越来越多采用Sculpta图案成形应用技术,与创新的CVD图案化薄膜、蚀刻系统和量测解决方案。

为了帮助克服先进晶片的图案化挑战,应材提供了一系列能够补强最新微影技术的产品与解决方案。
为了帮助克服先进晶片的图案化挑战,应材提供了一系列能够补强最新微影技术的产品与解决方案。

如应材於2023年国际光电工程学会(SPIE)举行的先进微影暨图案化技术研讨会上,便推出一系列满足「埃米时代」晶片图案化需求的产品和解决方案,进而克服 EUV和高数值孔径(High-NA)EUV 图案化的挑战,包括:线边缘粗糙度、顶端对顶端的间隙(tip-to-tip spacing)限制、桥接缺陷和边缘置放误差。

其中Centura Sculpta图案化系统,可让晶片制造商能透过延伸拉长图案特徵,来减少EUV双重图案化步骤,使得特徵端点彼此之间,能比使用单一EUV或高数值孔径EUV曝光更为接近,而能有效补强和改善使用微影技术制造晶片。目前应材正与所有市场上顶尖的逻辑晶片制造商合作,开发越来越多的Sculpta应用,得以减少顶端对顶端的间隙限制、消除桥接缺陷,进而降低图案化成本、复杂度,并提高晶片良率。

同时推出Sym3 Y Magnum蚀刻系统,可在同一反应室中结合沉积和新蚀刻技术,沿着粗糙边缘沉积材料,使EUV线路图案在被蚀刻到晶圆前变得更平顺,从而提高良率并降低线路电阻,进而改善晶片效能和功耗,目前正部署用於埃米时代节点中的EUV图案化。

此外,应材领先业界的电子束量测系统,能经过严格定义将数十亿个特徵放置在每一层,使之与晶片中下一层的相反特徵正确对齐。避免微幅的置放误差,恐会降低晶片效能和功耗表现;唯若出现大幅度误差,更将造成影响良率的缺陷。

应材现已收购Aselta Nanographics公司,透过轮廓来搜集更庞大的数据量,了解其配方在图案化薄膜和晶圆上制造出的形状,并将这些资料回??至光学微影和制程流程进行设计型量测,以制造更精确的晶片特徵和避免置放位置误差。

值得一提的是,早自2012 年以来,应材便优先将图案化作为研发重点,投资推出新产品和解决方案,已将其服务的图案化市场从2013年约15亿美元,增至2023年超过80亿美元,同时将机会市占率从约10%增加到超过30%。

關鍵字: 芯片  应用材料 
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