Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項。產品提供多種拓撲架構，包括半橋、全橋、三相以及 PIM/CIB 架構，讓設計人員能依效能、成本與系統架構需求靈活優化設計。

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BZPACK mSiC 功率模組已通過 HV-H3TRB 測試，測試時長超過標準規定的 1,000 小時，為工業與再生能源應用提供更高的部署信心。模組外殼材料具備 Comparative Tracking Index（CTI）600V 等級，並在寬溫度範圍內維持穩定的 Rds(on) 特性，同時提供氧化鋁（Al?O?）或氮化鋁（AlN）基板選項，可提供優異的絕緣性能、熱管理能力與長期耐用性。

Microchip 高功率解決方案事業單位副總裁 Clayton Pillion 表示：「BZPACK mSiC 功率模組的推出，再次展現 Microchip 致力於為最嚴苛電力轉換環境提供高可靠度與高效能解決方案的承諾。透過我們先進的 mSiC 技術，客戶可以更簡單地打造高效率且長期可靠的系統，滿足工業與永續能源市場的需求。」

為簡化生產流程並降低系統複雜度，BZPACK 模組採用緊湊的無底板設計，並提供 Press-Fit 壓入式端子，以及可選的預塗熱介面材料（Thermal Interface Material, TIM）。這些設計可加快組裝速度、提升製造一致性，並透過業界標準 footprint 設計，讓客戶更容易進行多來源採購。此外，模組採用腳位相容設計，以提升使用便利性。

Microchip 的 MB 與 MC 系列 mSiC MOSFET 為工業與汽車應用提供可靠的解決方案，並提供符合 AEC-Q101 認證的版本。這些元件支援常見的閘極-源極電壓（VGS ? 15V），並採用業界標準封裝，方便整合至各類系統設計。經驗證的 HV-H3TRB 能力可提升長期可靠度，降低因濕氣導致漏電或擊穿而發生現場失效的風險。MC 系列整合閘極電阻，可改善切換控制，在維持低切換能量的同時提升多晶粒模組配置下的穩定性。目前產品提供 TO-247-4 Notch 封裝以及裸晶（waffle pack）形式。

Microchip 在 SiC 元件與功率解決方案的開發、設計、製造與技術支援方面擁有超過 20 年經驗，協助客戶以更簡單、更快速且更具信心的方式導入 SiC 技術。公司 mSiC 系列產品與解決方案可協助客戶降低系統成本、縮短上市時間並降低設計風險。Microchip 提供完整且彈性的 SiC 二極體、MOSFET 與閘極驅動器產品組合。更多資訊請造訪：www.microchip.com/sic 。