Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项。产品提供多种拓扑架构，包括半桥、全桥、三相以及 PIM/CIB 架构，让设计人员能依效能、成本与系统架构需求灵活优化设计。

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BZPACK mSiC 功率模组已通过 HV-H3TRB 测试，测试时长超过标准规定的 1,000 小时，为工业与再生能源应用提供更高的部署信心。模组外壳材料具备 Comparative Tracking Index（CTI）600V 等级，并在宽温度范围内维持稳定的 Rds(on) 特性，同时提供氧化铝（Al?O?）或氮化铝（AlN）基板选项，可提供优异的绝缘性能、热管理能力与长期耐用性。

Microchip 高功率解决方案事业单位??总裁 Clayton Pillion 表示：「BZPACK mSiC 功率模组的推出，再次展现 Microchip 致力於为最严苛电力转换环境提供高可靠度与高效能解决方案的承诺。透过我们先进的 mSiC 技术，客户可以更简单地打造高效率且长期可靠的系统，满足工业与永续能源市场的需求。」

为简化生产流程并降低系统复杂度，BZPACK 模组采用紧凑的无底板设计，并提供 Press-Fit 压入式端子，以及可选的预涂热介面材料（Thermal Interface Material, TIM）。这些设计可加快组装速度、提升制造一致性，并透过业界标准 footprint 设计，让客户更容易进行多来源采购。此外，模组采用脚位相容设计，以提升使用便利性。

Microchip 的 MB 与 MC 系列 mSiC MOSFET 为工业与汽车应用提供可靠的解决方案，并提供符合 AEC-Q101 认证的版本。这些元件支援常见的闸极-源极电压（VGS ? 15V），并采用业界标准封装，方便整合至各类系统设计。经验证的 HV-H3TRB 能力可提升长期可靠度，降低因湿气导致漏电或击穿而发生现场失效的风险。MC 系列整合闸极电阻，可改善切换控制，在维持低切换能量的同时提升多晶粒模组配置下的稳定性。目前产品提供 TO-247-4 Notch 封装以及裸晶（waffle pack）形式。

Microchip 在 SiC 元件与功率解决方案的开发、设计、制造与技术支援方面拥有超过 20 年经验，协助客户以更简单、更快速且更具信心的方式导入 SiC 技术。公司 mSiC 系列产品与解决方案可协助客户降低系统成本、缩短上市时间并降低设计风险。Microchip 提供完整且弹性的 SiC 二极体、MOSFET 与闸极驱动器产品组合。更多资讯请造访：www.microchip.com/sic 。