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Littelfuse瞬态抑制二极体阵列可保护28nm尺寸以下晶片组免受ESD损害
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年09月26日 星期二

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全球电路保护领域企业Littelfuse推出0.9pF , ±30kV分散式单向瞬态抑制二极体阵列(SPA二极体)系列产品。SP3222系列瞬态抑制二极体阵列将低电容轨到轨二极体和附加的稽纳二极体组合在一起,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。 这种功能强大的二极体符合AEC-Q101标准,可安全吸收高於国际标准规定的最高级别的反复性ESD放电,且性能不会下降。

SP3222系列瞬态抑制二极体阵列安全吸收反复性ESD冲击,同时避免性能减退
SP3222系列瞬态抑制二极体阵列安全吸收反复性ESD冲击,同时避免性能减退

低负载电容使其成为MIPI摄像头和显示器、USB2.0、USB3.0和eSATA等高速资料线提供ESD保护的理想选择。 该系列产品非常适合保护尺寸为28nm及以下的最新灵敏型晶片组免受破坏性ESD损坏。

SP3222系列瞬态抑制二极体阵列的其他应用包括高速序列介面、MHL、DisplayPort 1.3、机上盒、游戏机、智能手机、外部存放装置、笔记型电脑、超薄型笔记型电脑、平板电脑和电子阅读器。

「SP3222系列可提供极低的动态电阻,确保在各种电流分布下发挥出色的箝位性能,从而提供更优越的ESD保护。」Littelfuse瞬态抑制二极体阵列业务开发经理Tim Micun表示, 「该系列瞬态抑制二极体阵列在8kV ESD条件下的允通电压不超过40V,可提供出色的电压回应,这对於保护小型敏感晶片组尤其重要。」

SP3222系列(表面黏着式 SOD-883封装)提供卷带包装,最小订购量为10,000只。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。

产品特色

·低峰值电压(8kV ESD条件下标称电压低於40V)可提供最低的允通电压,从而快速有效地保护小型敏感晶片组。

·极低的动态电阻(0.17 ohms)可确保卓越的传输线脉冲(TLP)性能,这是保护尺寸为28nm及以下晶片的一个关键要素。

·AEC-Q101认证意味着其能够在比预期工作环境更加恶劣的条件下持续工作。

·工业标准SOD-883封装可降低整体成本,并保证较高的产品供货能力。

關鍵字: 瞬態抑制二極體陣列  28nm  芯片组  ESD  Littelfuse  利特  系統單晶片 
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