英飞凌科技(Infineon)在应用电源电子研讨会（APEC）上宣布在OptiMOS 3 N信道MOSFET(场效应晶体管)产品阵容，新增三个新的功率半导体家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在关键功率转换规格如通态电组的指针性能，可降低标准晶体管型封装(TO)的功率损失达30％。在一个特定的标准（晶体管提纲）封装。OptiMOS 3 40V、60V和80V家族的低开关损耗及通态电阻特性，比起市售同级产品，增加功率密度达30％，减少相同电路应用的零件数。

这几款新型场效应晶体的设计主要针对各种功率转换与管理方面的应用，包括计算机、家用电器、小型电动车、工业用自动化系统、电信设备，以及如电动工具、电动割草机与电扇等消费性电子产品，所使用的SMPS（交换式电源供应器）、直流/直流转换器与直流马达驱动器。

新款OptiMOS 3产品家族成员中，包括RDS(on)(通态电阻)的场效应晶体管，例如RDS(on)低至1.6m的40V SuperSO8封装、3.5m的60V D-PAK封装、2.5m的80V D2-PAK封装。这个家族的FOM（优位指数，计算公式为通态电阻乘以闸电荷）超越市售产品幅度达25％，具有快速交换及同时最低的传导损耗与通态功率散逸，从而达到更高的功率密度。另外也能减少驱动装置产生的热量，因而提高系统的可靠性。此外，低RDS(on)也能缩小晶体封装尺寸，例如达3毫米×3毫米的S3O8(Shrink SuperSO8)，减少占用电路板的空间。