Cypress公司发表2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory；nvSRAM），将Cypress的nvSRAM系列产品线从16-Kbit扩展至8-Mbit。此全新组件具备20奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色，可为需要持续高速写入资料，与绝对非挥发资料安全等应用，提供最佳解决方案。需要nvSRAM功能的系统包括：服务器、RAID的应用、环境严苛的工业控制、以及在汽車、医療、以及數据通讯系统。

Cypress的2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取内存具备20奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资&

CY14B102 2-Mbit nvSRAM与CY14B108 8-Mbit nvSRAM符合ROHS环保规章，能直接取代SRAM、电池供电SRAM、EPROM与EEPROM等组件，不需使用电池就能提供可靠的非挥发资料储存功能。在关闭电源时，系统会自动把SRAM储存的资料传送到组件的非挥发储存组件。在启动电源时，再把资料从非挥发内存回存到SRAM。兩种作业都在软件的控制下执行。新款nvSRAMs采用Cypress的S8 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，硅氧化氮氧化硅）嵌入式非挥发性内存技术，具备更高密度，并能改善访问时间与效能。

此款2-Mbit与8-Mbit的nvSRAMs产品提供一个实时频率功能，结合业界最低的待机振荡器电流与最高效能的整合式内存，可经由非挥发性内存支持，为发生事件对加上时间戳。

nvSRAM为快速、非挥发性内存提供最佳替代方案。相较于电池备援的SRAMS，nvSRAM所需电路板空间更少、设计复杂度更低，而且比MRAM或铁电内存（FRAM）更为经济实惠。