晶圓表面微量污染物的分析對半導體製造至關重要。隨著生產工序日益精細化、品質標準日趨嚴格，在降低缺陷率方面，此過程發揮重要作用。此外，包含數百道工序的生產線需要精準的微量污染物分析，以維持穩定運行和產品品質的可靠性。在 TXRF代表性分析方法中，Rigaku 已將其技術確立為有效的全球標準。

圖一為Rigaku新型 XHEMIS TX-3000全反射 X 射線螢光系統，支援半導體製造中晶圓表面微量污染分析。圖二為表面污染物分佈量測結果。

Rigaku 新型XHEMIS TX-3000在測量精度、操作性及生產效率方面實現飛躍式提升。例如XHEMIS TX-3000 的處理速度可最高達到 Rigaku 以往系統的 6 倍。首先，透過結合新開發的光學陣列及新型多元素檢測器，測量速度提升至 3 倍。其次，該組合系統配合 AI 驅動的光譜預測技術，在保持精度的前提下，將測量速度再度提升一倍。這一兩階段技術創新有助於提升半導體製造現場的生產效率與製程的穩定性。在舊型號中需耗時一小時的測量，現在僅需 10 分鐘即可完成。

XHEMIS TX-3000 採用可在三種波長間切換的 X 射線源，能夠分析鈉、鎂、鋁等螢光 X 射線分析系統難以檢測的輕元素。透過這種方式，幾乎可以在不破壞樣品的情況下，測量所有元素的表面污染分佈。

此外，XHEMIS TX-3000 結合了新開發的可進行 X 射線照射的單色器，以及可同時測量晶圓表面三個位置的多元素檢測器。透過組合這些功能，XHEMIS TX-3000 相比以往系統，測量速度提升至約 3 倍。

螢光X射線分析系統若縮短測量時間會導致精度下降。HEMIS TX-3000 採用基於大量分析數據訓練的光譜預測軟體，在將量測時間減半之際能夠保持精度。此外，新功能可減少不必要的背景訊號，將應用範圍擴展到以往無法進行微量污染測量的各種材料，如阻擋金屬（佈線保護塗層）、高介電薄膜及化合物半導體。