美高森美公司(Microsemi) 扩大其建基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，日前推出新型S波段500W RF组件2729GN-500，新组件针对高功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英哩范围的飞机。

在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%泄极效率性能，经由单一组件在这个频段上提供最高功率，主要特性包括：

‧ 标准脉冲间歇格式： 100μs, 10 % DF

‧ 出色的输出功率： 500W

‧ 高功率增益： >11.5 dB min

‧ 泄极偏压?Vdd： +65V

‧ 低热阻： 0.2℃/W

使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)提供的系统优势包括：

‧ 具有简化阻抗匹配的单端设计，替代需要额外整合较低功率组件

‧ 最高峰值功率和功率增益，可减少系统功率级数与末级整合

‧ 单级对管提供具有余裕的1.0 kW峰值输出功率，经由四电路组合提供全系统2kW峰值输出功率

‧ 65V的高运作电压缩小电源尺寸和DC电流需求

‧ 极其稳健的性能提升了系统良率，而且

‧ 放大器尺寸比使用硅双极性晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)组件的产品减小50%