瑞萨电子（RENESAS）日前宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管NESG7030M04，可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳（SiGe:C）材料并达到低噪声效能。

瑞萨推出新款SiGe:C异质接面晶体管，可做为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统及类似应用。

新款SiGe:C HBT晶体管可将无线接收到的微弱微波讯号放大，以达到0.75 dB的噪声值。由于能够以如此低的噪声放大讯号强度，因此可提高终端产品的通讯接收灵敏度。由于它可减少讯号传输错误，因此其运作耗电量可降低至具同等效能之瑞萨现有产品的四分之一。

瑞萨销售适用于微波放大器应用的晶体管及IC，为无线局域网络、消费性家用无线电话、地面数字电视广播调整器以及包含GPS功能的设备等提供解决方案。在上述背景之中，瑞萨已开发出采用SiGe:C材料的制程技术，并且为卫星广播所使用的12 GHz以上的频率提供解决方案。

另外，由于此晶体管是为了微波应用而开发的，因此瑞萨提供业界标准的4-pin薄型迷你模型封装（瑞萨封装名称：M04封装）。瑞萨亦计划将此新制程部署至微波IC的开发，并进一步提供此领域的解决方案，以响应市场需求。