國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）於近日宣布，針對PQFN封裝系列推出新款的PQFN 2mm x 2mm和PQFN3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝把兩個採用IR最新矽技術的HEXFET MOSFET整合，為低功率應用，包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、DC馬達和無線電感充電器，以及筆記型電腦、伺服器和網通設備，提供高密度，低成本的解決方案。

IR針對PQFN封裝系列推出新型封裝採用最新矽技術

新推出的PQFN2x2及PQFN3.3x3.3雙元件在每一個封裝都配備一對功率MOSFET，提供共汲極或半橋拓撲的靈活性。這些元件利用IR最新的低電壓矽技術（N和P）來達致超低損耗。例如IRLHS6276在只有4 mm2的範圍內，配備兩個典型通態電阻（RDS(on)）均為33mΩ的MOSFET。

此外，這個雙PQFN系列包括專為在高側負荷開關使用而優化的P-通道元件，提供簡易驅動解決方案。元件封裝的厚度少於1 mm，使其與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令（RoHS）。