ＲＯＨＭ日前最近推出擁有低損耗、高耐壓特性的新世代功率元件SiC（碳化矽）材料的蕭特基二極體（SBD）「SCS110A系列」開始量產。「SCS110A系列」比其他廠商量產的SiC-SBD在順向電壓及導通阻抗方面獲得改善，適合使用在EV（電動車）/HEV(油電混合車)及空調等需要進行功率轉換的Inverter,Converter,PFC電路（功率因素校正電路）等多種用途。

近年來在，電力電子技術方面，半導體元件造成功率轉換時的損耗逐漸形成問題，從環保觀點也促使對於較矽材料更低損耗的SiC功率元件的研發推展。ROHM於2004年成功完成SiC MOSFET試作品，接著完成SiC蕭特基二極體及由以上元件所構成的電源模組試作成功。

這次開始量產的「SCS110A系列」的反向回復時間（ｔｒｒ）僅15nsec比一般矽材質快速回復二極體（35nsec～50nsec）相比大幅縮短回復時間，回復時的損耗也降到僅1/3。依此特性，若使用在Inverter、Converter、PFC電路，損耗大幅降低發熱量也跟著減少。與矽材質的FRD相比，特性隨溫度變化極少，能使用較小的散熱片。與之前的SiC製蕭特基二極體比較，具有trr特性改善、晶片尺寸縮小15%等各種優點。

在量產化方面，蕭特基接觸屏障的均勻性、不需高溫處理的高阻抗防護環（Guard Ring）層成形等曾經是技術瓶頸的問題也獲得解決，順利完成社內一貫化生產體制。和之前量產的SiC蕭特基二極體相比,藉由降低操作時的阻抗值，其順向電壓也隨之降低（VF=1.5V（標準值）10A時）與溫度特性更優良，大幅提昇性能達到高效率。