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Cypress新增2-Mbit與8-Mbit nvSRAM產品
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2008年07月14日 星期一

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Cypress公司發表2-Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體(non-volatile static random access memory;nvSRAM),將Cypress的nvSRAM系列產品線從16-Kbit擴展至8-Mbit。此全新元件具備20奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色,可為需要持續高速寫入資料,與絕對非揮發資料安全等應用,提供最佳解決方案。需要nvSRAM功能的系統包括:伺服器、RAID的應用、環境嚴苛的工業控制、以及在汽車、醫療、以及數據通訊系統。

Cypress的2-Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體具備20奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色(圖片來源:廠商)
Cypress的2-Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體具備20奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色(圖片來源:廠商)

CY14B102 2-Mbit nvSRAM與CY14B108 8-Mbit nvSRAM符合ROHS環保規章,能直接取代SRAM、電池供電SRAM、EPROM與EEPROM等元件,不需使用電池就能提供可靠的非揮發資料儲存功能。在關閉電源時,系統會自動把SRAM儲存的資料傳送到元件的非揮發儲存元件。在啟動電源時,再把資料從非揮發記憶體回存到SRAM。兩種作業都在軟體的控制下執行。新款nvSRAMs採用Cypress的S8 0.13微米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,矽氧化氮氧化矽)嵌入式非揮發性記憶體技術,具備更高密度,並能改善存取時間與效能。

此款2-Mbit與8-Mbit的nvSRAMs產品提供一個即時時脈功能,結合業界最低的待機振盪器電流與最高效能的整合式記憶體,可經由非揮發性記憶體支援,為發生事件對加上時間戳記。

nvSRAM為快速、非揮發性記憶體提供最佳替代方案。相較於電池備援的SRAMS,nvSRAM所需電路板空間更少、設計複雜度更低,而且比MRAM或鐵電記憶體(FRAM)更為經濟實惠。

關鍵字: nvSRAM  8-Mbit  Cypress  ROHS  動態隨機存取記憶體 
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