Cypress公司發表2-Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體（non-volatile static random access memory；nvSRAM），將Cypress的nvSRAM系列產品線從16-Kbit擴展至8-Mbit。此全新元件具備20奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色，可為需要持續高速寫入資料，與絕對非揮發資料安全等應用，提供最佳解決方案。需要nvSRAM功能的系統包括：伺服器、RAID的應用、環境嚴苛的工業控制、以及在汽車、醫療、以及數據通訊系統。

Cypress的2-Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體具備20奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色(圖片來源:廠商)

CY14B102 2-Mbit nvSRAM與CY14B108 8-Mbit nvSRAM符合ROHS環保規章，能直接取代SRAM、電池供電SRAM、EPROM與EEPROM等元件，不需使用電池就能提供可靠的非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把SRAM儲存的資料傳送到元件的非揮發儲存元件。在啟動電源時，再把資料從非揮發記憶體回存到SRAM。兩種作業都在軟體的控制下執行。新款nvSRAMs採用Cypress的S8 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體技術，具備更高密度，並能改善存取時間與效能。

此款2-Mbit與8-Mbit的nvSRAMs產品提供一個即時時脈功能，結合業界最低的待機振盪器電流與最高效能的整合式記憶體，可經由非揮發性記憶體支援，為發生事件對加上時間戳記。

nvSRAM為快速、非揮發性記憶體提供最佳替代方案。相較於電池備援的SRAMS，nvSRAM所需電路板空間更少、設計複雜度更低，而且比MRAM或鐵電記憶體（FRAM）更為經濟實惠。