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NS推出訊號調節能力加倍而功耗減半的全新中繼器
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2011年02月08日 星期二

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美國國家半導體(NS)於日前宣佈,推出三款多通道PowerWise 10Gbps中繼器,其特點是具有高36dB等化增益,每通道僅55mW的功耗,並可延長一倍的電纜長度,以24-AWG電纜為例,傳送距離可長達20公尺。

NS推出訊號調節能力加倍而功耗減半的全新中繼器
NS推出訊號調節能力加倍而功耗減半的全新中繼器

美國國家半導體10Gbps中繼器系列晶片,採用該公司的第三代矽鍺(SiGe) BiCMOS製程技術製造,具有「接收等化」和「發送數位式波形還原」兩種功能,可為資料中心及高效能通訊系統提供通道損耗補償,也就是說這系列中繼器晶片可以延長電纜的傳送距離而且將資料頻寬提高至10.3125Gbps,因此適用於符合10 GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI和Infiniband等串列傳輸協定的高速主動式電纜組件及FR-4背板。此外,這幾款中繼器也可支援儲存系統的SAS/SATA外頻訊號傳輸功能。

由於網際網路湧現大量多媒體內容,加上雲端運算及多核心虛擬化伺服器的出現,因此新一代的資料中心運算系統對介面頻寬的要求越趨嚴格。但互連線路的長度仍維持不變,使功耗及訊號完整性成為另一個有待解決的問題。主動式銅線電纜組件及背板電路板只要內建美國國家半導體的訊號調節器就可確保訊號完整無缺、減少系統功耗及讓用戶可以採用成本低於光纖電纜的銅導線。

NS表示,採用其10Gbps中繼器的主動式銅導線互連方案的功耗只有市場上其他線路互連方案的四分之一,而電纜傳送距離則可延長兩倍。美國國家半導體此系列中繼器能夠有這樣的優勢是因為採用全新的矽鍺(SiGe) BiCMOS製程製造,使其中的電晶體可以支援較高的頻寬、產生較少雜訊及大幅減少訊號抖動和功耗。4通道的DS100BR410晶片適用於高密度的連接器如QSFP和CXP,而DS100BR111晶片則適用於單通道的SFP+連接器。

關鍵字: 中繼器 
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