供電產品事業廠商國際整流器公司(International Rectifier, IR)宣佈，該公司推出專用FlipFET封裝的HEXFET功率MOSFET元件，所有接頭皆置於晶片的同一面。IR表示，該產品體現真正的晶片級封裝技術(Chip Scale Packaging)，其創新一代的精巧功率結構，為先進的可攜式應用系統提供更高功率密度。

國際整流器公司(IR) FlipFET封裝功率元件(廠商提供)

IR指出，率先問世的兩款FlipFET功率MOSFET，分別是單通道的IRF6100及雙向雙通道的IRF6150，均屬20V的P-channel元件。IRF6100的尺寸僅為1.52平方毫米，IRF6150的僅為3.05平方毫米。

國際整流公司台灣區總經理朱文義表示，目前許多行動電話的智慧型鋰電池組均採用雙重式SO-8 MOSFET，由於FlipFET技術可大幅縮減電路尺寸，因此能在相同體積的電池組中，將電池容量增加近兩成，等於可用三小時待機時間的標準鋰電池連續通話達半小時。隨著第三代網際網路多媒體行動電話問世，越來越多的新功能，也不斷提升了對功率的要求，因此FlipFET技術相較於同類型設計，能夠充分滿足甚至超越消費者對通話時間的需求。

FlipFET MOSFET元件可達100%矽面積比。由於晶片本身就是封裝，因此能大幅降低甚至消除元件封裝過程中的雜散電感及其他損耗。同時，IR成功把元件面積減少70%以上，僅為通用TSOP-6及SO-8封裝的1/3，但卻擁有相同甚至更好的性能表現。FlipFET封裝還有助改善導通電阻及熱性能。如面積與標準TSOP-6封裝相同的20V P channel FlipFET元件，最高RDS(on) 值僅為14 milliohms，較標準Si3443DV封裝低出88﹪。