英飛凌科技於在美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會(International Microwave Symposium)上宣佈推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品。新型電晶體的功率位準高達300W，視訊頻寬超過90 MHz，完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高資料傳輸速率規格。

新型電晶體系列產品所提供的高增益及高功率密度，優於在1.4 - 2.6 GHz行動頻帶中運作的其他裝置。如此將可使用體積減少30%的套件，設計更小型且成本更低的放大器。高峰值功率有助於設計Doherty放大器，以及減少其他架構中的零件數量。

德國英飛凌科技RF功率部門副總裁暨總經理Helmut Vogler表示，縮減功率放大器的尺寸，同時提供優異的能源效率，造就了更小型的基地台，進而讓製造商能夠以最適成本，提供高效、環保的系統解決方案。

這批新型電晶體以雙載波WCDMA訊號（2170 MHz、30V、8 dB PAR及3.84 MHz通道頻寬）所測得的效能為50W平均功耗、18 dB增益，效率28%（使用230W之P-1dB輸出功率的電晶體）。300W(P-1dB)裝置於相同應用條件下，所測得的效能為65W平均功率、18 dB增益，效率28%。

所有新型PTFB系列電晶體皆採用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝，供螺栓式(bolt-down)或無耳式(earless)安裝。這些產品皆無鉛並符合ROHS規範。前六種產品的樣品目前已可供貨。