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意法半導體獲選 Clarivate「2026 年全球百大創新機構 (2026.02.02)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST），近日獲 Clarivate 評選為「2026 年全球百大創新機構」（Top 100 Global Innovators 2026） |
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意法半導體獲選 Clarivate「2026 年全球百大創新機構 (2026.02.02)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST），近日獲 Clarivate 評選為「2026 年全球百大創新機構」（Top 100 Global Innovators 2026） |
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ROHM針對次世代800 VDC架構發表電源解決方案白皮書 (2025.10.31)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）以創新半導體主要企業之姿，發表了針對次世代800 VDC架構的AI資料中心用先進電源解決方案白皮書。
本白皮書基於2025年6月發佈的「ROHM Delivers High-Performance Power Solutions Aligned with NVIDIA 800V HVDC Architecture」合作新聞稿內容 |
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ROHM針對次世代800 VDC架構發表電源解決方案白皮書 (2025.10.31)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）以創新半導體主要企業之姿，發表了針對次世代800 VDC架構的AI資料中心用先進電源解決方案白皮書。
本白皮書基於2025年6月發佈的「ROHM Delivers High-Performance Power Solutions Aligned with NVIDIA 800V HVDC Architecture」合作新聞稿內容，詳細闡述了ROHM為AI基礎設施適用的800 VDC供電系統，提供的最佳電源解決方案 |
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封裝決勝未來：半導體的黃金引擎 (2025.09.08)
先進封裝突破製程微縮瓶頸，透過異質整合與高密度互連，成為推動多項應用邁向新世代的關鍵推手。 |
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格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位 (2025.09.02)
隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸置疑，正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期 |
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格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位 (2025.09.02)
隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸置疑，正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期 |
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意法半導體公布公司層級轉型計畫 調整製造據點並優化全球成本 (2025.04.14)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）今日進一步公布其全球製造據點調整計畫的內容。這項行動是 2024 年 10 月所宣布轉型計畫的一部分 |
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意法半導體公布公司層級轉型計畫 調整製造據點並優化全球成本 (2025.04.14)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）今日進一步公布其全球製造據點調整計畫的內容。這項行動是 2024 年 10 月所宣布轉型計畫的一部分 |
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電動車充電革新與電源管理技術 (2025.04.08)
電動車充電需求的不斷提升，而電源管理晶片在整個系統中承擔著能量轉換、監控保護以及智能調度等多重功能，是保證充電安全、高效與智能化的關鍵組件。 |
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意法半導體第七度獲選 2025 年「全球百大創新機構」 (2025.03.21)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）入選 2025 年「全球百大創新機構」（Top 100 Global Innovators 2025）。該榜單由全球知名資訊與分析機構 Clarivate 公布，每年評選並表彰在技術研發與創新領域居於領先地位的企業 |
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意法半導體第七度獲選 2025 年「全球百大創新機構」 (2025.03.21)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）入選 2025 年「全球百大創新機構」（Top 100 Global Innovators 2025）。該榜單由全球知名資訊與分析機構 Clarivate 公布，每年評選並表彰在技術研發與創新領域居於領先地位的企業 |
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電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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AI數據中心：節能減碳新趨勢 (2024.10.28)
面臨GPU及AI資料中心耗費龐大電量，市面上各種冷卻散熱方案終究是治標不治本，而有國內外電源大廠開始從電網的中載變壓器、終端人與物料維運模式溯源減碳的全方位解決方案 |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
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格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
