CTIMES / 文章 / 由NOR Flash大厂发展看台湾厂商决胜机会   【作者： 高禕璟】2004年04月05日 星期一 浏览人次：【9587】 在强调多媒体影音的高阶手机陆续推出后，持续发展高容量的Flash方能跟上手机市场的脚步。 NOR Flash在手持市场遭遇NAND Flash以MCP架构侵蚀，因此各厂商无不奋力提高容量，以拉近和NAND Flash每单位位元成本来对抗。 2005年时台湾厂商在NOR Flash的布局成果将会浮现，Flash产业将会在台湾半导体产业里占有举足轻重的影响力。然而，也由于众多厂商进入NOR Flash市场，是否会在2005年时呈现类DRAM化，将是另一个令人省思的议题。 表一　台湾厂商发展NOR Flash动态   产品 量产时程 预定容量 制程技术 12吋厂计画 旺宏 DINOR JaffaFlash 2004/Q4 未定 128Mb 128Mb 0.13μm 0.15μm 未定 华邦 ACT1 Winstack 2004/Q4 2004/Q2 128Mb 32Mb 0.175mm 0.175mm 2004/H2于中科动工 力晶 SuperFlash 2005 2Gb 0.11μm 第二座12吋厂于2003/Q3加入量产两座12吋厂合计将有1/3产能投入Flash 茂德茂矽 NOR 2004/Q4 64Mb 32Mb 0.13μm 茂德第二座12吋厂于2005/H2加入量产,唯大部分12吋厂产能仍以DRAM为主茂矽将委茂德/Cypress代工 表二　16Mb NOR Flash市场供需预估 Million bits 2003/Q1 2003/Q2 2003/Q3 2003/Q4 2004/Q1 2004/Q2 2004/Q3 2004/Q4 Total Demand 618 656 763 909 834 896 1017 1164 Total Supply 649 676 780 921 877 926 1030 1165 %Over / (under) supply 5％ 3％ 2％ 1％ 5％ 3％ 1％ 0％ NOR Flash的旺季需求在于每年下半年的第三、第四季，表三列出台湾NOR Flash现货市场价格变化，从表中可以观察到Intel在1月份时调涨各产品价格，导致各产品在现货市场中价格劲扬12％～25％，甚至维持涨势直到二月底。因此相较于Intel的高单价，非Intel系产品便显得相当具有诱惑力，32Mb的市场价格几乎只要Intel 32Mb的一半。在进入第三季之后，中低容量受到手机及数位家电需求的带动，至第四季为止价格已有止跌持平的倾向，至于高容量NOR Flash的跌势，则需观察欧美高阶手机普及的速度。 表三　台湾NOR Flash现货市场价格变化（美元） Date Non-Intel 16Mbit Intel 16Mbit Non-Intel 32Mbit Intel 32Mbit Non-Intel 64Mbit Intel 64Mbit Intel 128Mbit 19-Dec-02 1.90 3.00 3.50 3.95 8.00 7.10 13.00 13-Jan-03 1.80 3.80 2.40 4.65 5.85 8.00 15.50 27-Jan-03 1.80 3.90 2.30 4.65 5.75 8.00 16.00 10-Feb-03 1.95 4.00 2.40 4.60 5.80 8.00 16.50 24-Feb-03 1.95 4.02 2.40 4.66 5.80 8.10 17.00 7-Mar-03 2.00 4.00 2.40 4.65 5.80 8.00 16.50 19-Mar-03 2.10 4.00 2.50 4.63 6.00 8.00 16.00 11-Apr-03 2.00 3.80 2.42 4.60 5.85 7.80 15.00 28-Apr-03 2.00 3.70 2.40 4.55 5.80 7.80 14.50 16-May-03 2.00 3.50 2.60 4.55 5.70 7.80 13.00 30-May-03 1.95 3.35 2.70 4.50 5.75 7.75 13.00 13-Jun-03 1.80 3.20 2.80 4.40 5.60 7.70 13.00 20-Jun-03 1.75 3.20 2.70 4.40 5.40 7.70 12.50 14-Jul-03 1.80 3.10 2.70 4.40 5.50 7.70 12.00 25-Jul-03 1.75 3.00 2.65 4.30 5.40 7.60 11.50 8-Aug-03 1.72 3.00 2.60 4.30 5.30 7.60 11.00 29-Aug-03 1.70 3.00 2.60 4.30 5.10 7.60 11.00 12-Sep-03 1.72 3.00 2.70 4.30 5.25 7.60 11.00   厂商现况分析 NOR Flash市场竞争之激烈尤胜于NAND Flash市场，主因在其技术门槛低，进入较容易，形成市场百家争鸣的态势。在2002年Intel以38％的市占率拿下冠军宝座，AMD和Fujitsu联盟合计占有26％，STMicro以11％紧追在后，至于台湾厂商旺宏与华邦合计约不到3％。根据iSuppli最新公布的2003年第三季调查数字显示，FASL市占率已微幅超越Intel，成功登上冠军宝座，日商Sharp也大幅成长至15％。成长快速的Samsung和Atmel也备受关注，较第二季成长166.7％与164.3％，分居第10和11名。至于前十五大之中入围的台湾厂商尚有旺宏的第八（市占率3.4％）与华邦的第十四（市占率0.6％）。 《图一 2002与2003/Q3 NOR Flash市占率》 ＜iSuppli＞ 国外大厂竞争激烈 Intel和AMD的战火从CPU市场延烧到NOR Flash市场，虽然在2002年Intel仍然保持领先，但在AMD强化与Fujitsu的合作，以合资方式结合双方Flash部门，成立FASL并结合共同资源对抗Intel。另一方面NAND Flash龙头Samsung也觊觎NOR Flash市场，积极布局，日系厂商Renesas则透过和台湾厂商联盟的方式扩充产能。 Intel & FASL势均力敌 Intel是Multi Level Cell的领导厂商，目前已经进展到第四代技术。同时Intel也是封装技术的指标厂商，其Ultra Thin SCSP（Stacked Chip Scale Package）技术已经可以在1.2mm的高度下​​封装5颗晶粒。从(图二)中可以发现，自1999年手机不再是只有单纯的通话功能之后，更多元化的表现、更高容量的Flash并未使手机重量直线的上升，仍然维持在一定的水准。这也代表着高容量的Flash封装技术的重要性，如何在有限尺寸下封装更多的晶粒技术，将是各厂商能否站上领先潮流的重要指标。目前Intel的主力产品是256Mb搭配64Mb 1T-SRAM，2003年10月已经对1Gb产品进行送样，估计2004年的2月可以正式量产。 《图二 手机功能演进与重量/Flash容量变化》 ＜资料来源：Intel；2003/2＞ 另一方面，AMD和Fujitsu在2003年改打共同品牌Spansion，同时在技术也持续拥有重大突破，率先开发出512Mb产品，造成Intel极大的压力。 (图三)为FASL自行预估的行动市场市占率和总营收，在2001年时Intel囊括60％的市场，当时AMD和Fujitsu联盟只占有20％。 FASL预估在2003年可超过Intel，拿下36％的市占率。另一方面预估第三季营收达4亿4000万美元，同样超过Intel的3亿8000万美元；将此数据和iSuppli第三季公布的最新调查数据比较，FASL为4千2400万美元、 Intel为4亿1400万美元，目前双方可谓势均力敌，市占率非常接近，到年底FASL能否达成大幅超越Intel的目标，值得拭目以待。 《图三 FASL自行预估2003年行动市场市占率及总营收》 ＜资料来源：FASL；2003/11＞ Intel在NOR Flash市场的占有率节节下滑，目前普遍的看法是Intel在2003年1月强势调涨各产品价格，导致部分客户转单至FASL、STMicro甚至Samsung，特别是失去Nokia此一影响NOR Flash市场将近20​​％之重量级客户的信任，对Intel的打击不小。但Intel对明年的1Gb StrataFlash产品深具信心，认为在容量上缩小与NAND Flash的差距、致力降低成本、持续强化封装技术将能帮助Intel重新稳固NOR Flash市场霸主的地位。 FASL的关键技术MirrorBit则是类似Saifun的NROM技术，2002年底时获得Saifun授权。 FASL认为其MirrorBit理论上具有成本低、容量高及较MLC技术更佳的运算速度，在未来具有相当强的竞争优势，计画在2006年可达到4bit/cell、容量2～8Gb。同时FASL也不甘心局限于NOR Flash领域，预计在2006年将使用MirrorBit技术发展NAND Flash。 《图四 MirrorBit技术发展蓝图 》 ＜资料来源：FASL；2003/11＞ Renesas日本NOR Flash MCP市场称王 Renesas和台湾厂商关系良好，除了在NAND Flash领域和力晶签订1 Gb AG-AND代工协议之外，在NOR Flash的布局也一直和旺宏互动良好，10月份和旺宏签订代工0.13微米制程128Mb DINOR Flash。此外，值得注意的是Renesas在日本市场的NOR Flash MCP以40％的市占率拿下第一，高出第二名的Sharp19％许多，在全球市场的NOR Flash MCP方面，则以19％拿下第二。Renesas在MCP市场的布局上，由于同时具备NOR/NAND/LPSRAM/1T-SRAM/LPSDRAM等完整产品线优势，使用不同产品组合封装时能使用自有产品，不但具有拉抬效应，在成本上也拥有较佳的竞争力，目前唯有Samsung和Renesas具备相同完整的产品线。在MLC技术的进展方面，Renesas预计在2004年推出0.13微米制程256Mb DINOR Flash，并在2005年推进至90nm制程的512Mb。 《图五 Renesas 2003/Q2 NOR Flash MCP日本市场市占率》 ＜资料来源：Nikkei BP；2003/7＞

Samsung积极部署

身为手机制造商的Samsung自然也不愿意储存手机程式的关键零组件受制于人，因此在NOR Flash方面也积极研发，目前甚至已取得Nokia转自Intel的订单，对Samsung的研发成果不啻是一大肯定。同时以韩国的强烈民族性而言，韩国手机市场采用Samsung的NOR Flash可能性高。

台湾厂商急起直追

台湾厂商目前以低容量的NOR Flash为主要发展方向，2001年受到整体半导体产业低迷影响，产值大幅衰退，仅达1.84亿美元。 2002年起景气微幅上扬，2003年景气已有回升之兆，预估成长率可达近20％。 2002年占全球的Flash市场比重不到3％，预估2003年的比重也相去无几。但在旺宏和力晶分别和外商签下高价值的高容量Flash发展计画之后，2004年起比重可望提升。

《图六 台湾Flash产值》

＜资料来源：工研院IEK-ITIS计画；2003/10＞

旺宏与Renesas联盟并发展N-bit技术

旺宏本身拥有4Mb～64Mb NOR Flash的自有技术，是国内最大的NOR Flash厂商，在2003年第三季iSuppli全球Flash市场最新排名第九，市占率为2.1％。旺宏未来的Flash布局分成两方面，首先在2003年10月份和合作良好的Renesas签订代工0.13微米制程128Mb DINOR Flash，预计2004年第二季开始sampling，年底进入量产。

另一方面旺宏也向Saifun取​​得授权NROM技术，打算发展自有品牌N-Bit Jaffa Flash，首推的容量为128Mb，制程则预计是以0.15微米为切入点，期望Jaffa Flash未来能打入高容量的Flash市场。值得注意的是NROM的技术十分新颖，之前业界对此技术能否顺利走向0.13微米以下尚未有定论，然而在FASL预计2004年即可转入0.11微米制程，并已勾勒2005年再导入90nm的情况之下，对旺宏发展的NROM技术是不但一种鼓舞，也是一种警惕，旺宏仍须在技术上急起直追，才有机会和国外大厂在高容量Flash舞台一较长短。

华邦和Sharp合作并开发自有技术

华邦是目前国内第二大的NOR Flash厂商，在2003年第三季iSuppli全球Flash市场最新排名第15，市占率为0.4％。目前华邦主推的两条产品线采用0.175微米制程，分别为高容量的ACT1和低容量的Winstack。高容量的产品采用和Sharp合作开发Advanced Contactless Technology生产，目标容量为32Mb～512Mb，但在制程的开发上遇上一些困难，进度向后延一季，因此最快将在2004年第二季sampling。低容量的Winstack为华邦自行开发之技术，今年第四季已经开始小量出货32Mb产品，预定2004年第二季可放量开出，Winstack产品的策略将搭配DSP、SDRAM，以SiP（System in Package）技术整合为目标。在12吋厂的规划方面，华邦的12吋厂确定座落中科，预定2004年下半年动工，产品组合为利基型记忆体和NOR Flash。

力晶与SST合作开发2Gb NOR Flash

SST（Silicon Storage Technology）于2003年12月1日发布将和力晶共同开发0.11微米制程之第三代SuperFlash技术，此技术将可用于生产256Mb至16Gb的NOR Flash，制程技术可微缩至90到65奈米。预计在2004年内完成制程及产品开发，2005年量产2Gb产品。 SST对SuperFlash技术深具信心，认为以此技术开发NOR Flash不但可以缩短与NAND Flash容量上的差距，甚至有机会超越。新一世代的SuperFlash技术是以NOR架构取代目前产业界中NAND架构快闪记忆体的重要关键。力晶将使用12吋晶圆厂为SST代工，同时也能使用SuperFlash技术生产自有品牌，届时将会根据力晶SuperFlash产品的销售额，支付超捷权利金。力晶的第二座12吋晶圆厂目前也正在兴建当中，预定在2005年第三季加入正式量产。力晶发言人谭仲民表示，未来力晶在两座12吋晶圆厂的产能规划上，将有三分之一以上供Flash使用。

除了旺宏、华邦和力晶在NOR Flash积极布局外，茂矽也打算进入Flash市场，目前与美国半导体大厂Cypress合作，在美国成立快闪记忆体设计公司APlus，生产方式循两种途径：一是利用Cypress厂房生产NOR规格的32Mb与64Mb快闪记忆体，二是委请国内DRAM大厂茂德代工，盼能搭配茂德本身1T-SRAM进攻手持式市场，最快2004年底才会有完整的产品出现。

结语──台湾厂商2005年为决胜点

NOR Flash朝向高容量开发

在强调多媒体影音的高阶手机陆续推出后，持续发展高容量的Flash方能跟上手机市场的脚步。 NOR Flash在手持市场遭遇NAND Flash以MCP架构侵蚀，因此各厂商无不奋力提高容量，以拉近和NAND Flash每单位位元成本来对抗。 Intel的MLC技术使StrataFlash容量持续更上一层楼，而FASL的NROM技术于理论上具有成本低、尺寸小的优势，若能顺利开发出4bit per cell，容量将可再向上翻新，也可望在Flash领域开创新页。此外SST的高容量SuperFlash也不容忽视，搭配力晶的12吋厂产能可为双方建立双赢策略。

MCP产品线越完整获利能力越佳

在更小的尺寸下封装更多的晶粒是在手持市场的必然趋势，MCP产品线的完整性对厂商的成本控制更显得重要，同时可以拉抬其他产品，潜在效应可观。以(表四)的资料观察，Samsung、Toshiba、Renesas、Infineon在MCP市场中将会较占优势，对整体营收带来加成的好成绩。台湾厂商中，力晶、茂德、华邦也同样具有较完整的产品线潜力，是未来MCP市场值得持续观察的重点厂商。

台湾厂商在2005年决胜NOR Flash市场

台湾厂商目前布局仍以中低容量为主，而力晶以12吋厂产能获得SST的青睐，共同开发高容量2Gb NOR Flash。以目前各家厂商的规划，除了旺宏尚未对12吋厂有明确的动作外，其他厂商皆已兴建当中（甚至第二座）或是申请筹备中，在未来的竞争潜力雄厚，拥有傲人产能的同时也具备了获得更多先进技术合作的潜在机会。 2005年时台湾厂商在NOR Flash的布局成果将会浮现，Flash产业将会在台湾半导体产业里占有举足轻重的影响力。然而，也由于众多厂商进入NOR Flash市场，是否会在2005年时呈现类DRAM化，将是另一个令人省思的议题。

（作者任职于拓墣产业研究所）