近年来大陆政府当局积极扶植大陆半导体产业发展，在18号文件鼓励、海外学人归国以及外来经营团队积极布局大陆的剌激之下，已引发一股大陆投资热潮。就目前看来，在中芯、宏力…之8吋厂陆续投产，以相对较具吸引力的价格来争取客户订单，并且与国外大厂技术转移或是策略联盟的方式取得先进技术，使得两岸晶圆代工业者竞争已逐渐进入白热化局面。就台湾业者而言，台积电松江8吋厂投资案在经过政府审核通过后，已积极展开；此外，其他业者台面下的动作亦未曾停歇。本文将先由两岸IC制造业发展动向作一介绍，再提出对于两岸IC制造业竞合关系之观察与建议。

台湾IC制造业发展概况

营运产值成长26.8％

2003年在半导体景气好转的带动下，Fabless、IDM业者下单意愿提升，挹注晶圆代工业者接单，产能利用率较2002年平均仍在七成左右徘徊明显改善。 2003年台积电、联电持续提升制程能力，除了高阶制程的比重持续提升外，台积电、联电含0.18微米以下制程营收贡献比重分别进一步上升至六成与四成，使得平均接单价格能有持稳表现，估计2003年台湾晶圆代工产值可成长26.2％，达到3113亿台币。

就DRAM业者而言，2003年在经济逐渐复苏，加上PC（尤其是Notebook）已于2003年第二季中后期开始有不错销售成绩，刺激DRAM买气。由于PC OEM大厂看好PC市场买气，对于DRAM颗粒、模组稳定铺货，使得主流256 Mb DRAM均价能有持稳表现，挹注DRAM业者营收。此外，台湾DRAM业者制程技术持续升级至0.14、0.13微米，12吋厂产能扩充以及良率提升，使得DRAM产出颗粒增加，估计2003年台湾IC制造业DRAM产值为1204亿台币，较2002年成长39％。总体看来，估计2003年台湾IC制造业产值可达4801亿台币，成长率为26.8％。

《图一 1998～2003年台湾IC制造业产值统计与估计》 数据源：工研院IEK；2003/10

发展动向：持续投入12吋厂兴建与奈米技术研发

不断投入先进制程研发、发展高附加价值的制程服务与产品，是台湾IC制造业维持竞争力的重要途径。

在晶圆代工的部分，目前0.18微米以下制程占晶圆代工营收比重已大幅增加，晶圆代工业者并持续发展0.13微米以下制程。此外，为因应资讯家电及通讯产品之潮流，加强射频（Radio Frequency；RF）通讯制程技术也是目前努力的方向之一。 90奈米制程部份，台积电90奈米已有40多项产品导入试产，预计导入量产时间将在1年以后。联电亦成为FPGA大厂Xilinx 90奈米制程的主力合作伙伴。在奈米制程推进上，台积电、联电仍然保持坚强的企图心及竞争力。

12吋厂布局部份，台积电Fab12月产能达1万片；因景气动向影响而悬宕已久的台积电Fab14可望在2004年启动。由联电主导的新加坡12吋合资晶圆厂UMCi目前处于产能扩充设备进驻与试产阶段，初步规划将以0.13微米，及奈米制程提供客户制程服务。预计至2004年底，联电Fab12A月产能可达2万片，UMCi可达1万片。

就台湾DRAM产业而言，由于DRAM竞争利基不外乎采成本竞争、发挥规模经济效应以及制程能力不断提升。在12吋厂产能扩充部份，目前台湾专属生产DRAM的12吋厂有2座，分别为力晶的Fab12A，及茂德的Fab1B。力晶的Fab12A每月产能达1.5万片，以0.13微米制程为主。茂德的Fab1B每月产能达1.2万片，以0.14微米制程为主。两家公司并持续扩大12吋厂产能及朝向0.11、0.12微米进一步微缩。其中力晶第二座12吋厂Fab12B于2003年9月动工，预计于2004年第三季可完工投产。此外，还包括南亚与Infineon合资的12吋厂华亚半导体亦将于2004年初完工投产。因此，台湾DRAM业者在12吋厂的布局动作仍保持不落人后的积极态度。

制程技术已达90奈米

在台湾IC制造公司当中，台积电、联电0.13微米制程良率逐渐提升，并持续朝向包含90奈米以下制程持续研发，晶圆代工业者制程技术居领先地位。

至于DRAM业者而言，除了在12吋厂产能扩充动作持续进行之外，主要制程已达0.14、0.13微米，并持续朝向0.12、0.11微米精进，与国外多家领先的公司几乎同步。

大陆IC制造业发展概况

营运表现产值成长约四成

就2003年而言，随着大陆新建8吋晶圆厂的产能陆续开出，在全球晶圆厂产能未及吃紧或不足的情形下，降价争取订单仍是必要手段，成为晶圆代工价格扰乱者，而良率及管理经验上是否能逐渐改善，才是能与国外大厂争胜的关键。 2003年陆续投产的生产线包括中芯、上海先进、宏力和苏州和舰等4座8吋晶圆厂，及中纬于宁波的6吋厂，在景气状况逐渐好转，以及新晶圆厂陆续投产的带动下，预估2003年大陆制造业产值可达58亿人民币，成长率为39.4％。

《图二 2000～2003年大陆IC制造业产值统计与估计》 数据源：CCID；2003、工研院IEK；2003/05

新晶圆厂陆续投产

检视大陆晶圆厂经营绩效，严格来说，除了上海先进经营状况稍佳之外，其他公司营运状况一直都不甚理想。在资金需求庞大而投资效益不彰，以及外来竞争者愈多的压力下，近年来一些大陆老字号的晶圆厂亦开始进行组织重整。例如华虹NEC原为NEC生产DRAM起家，为减少被DRAM价格波动的冲击，逐步转型为晶圆代工。此外，大陆IDM公司亦因经营绩效不尽理想，例如华越微、上海贝岭，亦开始逐步将设计、制造、封测部​​门独立出去，晶圆厂则逐步转型为代工，以期达到营运成本之控制及落实各项业务之有效管理。

近年来，大陆积极推动IC产业发展，18号文件的颁布，加上海外学人至大陆开创第二春，炒热了大陆8吋厂的投资风潮，截至2003年底为止已投片量产的8吋厂有8座，包括华虹NEC、中芯fab1、fab2、fab3、MOS17、宏力fab1、和舰、上海先进fab2。其中Motorola MOS17因经营状况不如预期，已于2003年9月被中芯购并，再加上大陆晶圆厂经营状况多数不甚理想，其实多少亦透露了在大陆投资布局，仍需要整体环境互相配合，要有明显而立即的投资效益仍不容易，台湾业者布局大陆仍应以步步为营态度较为稳当。大陆主要晶圆厂基本资料整理如(表一)。

《表一 大陆主要晶圆厂基本数据》 数据源：工研院IEK；2003/12

整体而言,大陆未来几年,在建与筹建的新晶圆厂超过10座以上,而且主要以晶圆代工为主,首当其冲面临的问题,就是订单从何而来?虽然说大陆IC公司自给率仅达大陆IC市场规模的15％，还有85％的市场供需缺口；但是若就全球半导体市场的观点来看，近几年来，由于缺乏杀手级应用，其实全球半导体景气动向只能被动地伴随着总体经济的荣枯而起伏；而仍有产能亦未达吃紧或不足，在市场成长力道仍有限，新增产能又不少的情况下，似乎已注定为下一波的产能过剩埋下伏笔。可以预见的是，大陆晶圆厂的大量产能开出，在僧多粥少的竞争态势之下，竞争力相对薄弱的晶圆代工业者将面临较不利的竞争地位，以及经营状况持续不佳的严厉考验。

制程技术：8吋厂渐成发展重点及产能供应主力

大陆晶圆厂截至2003年底为止生产线已超过30条，就尺寸分布，含6吋以下的占有比重仍达78％；就制程水准分布而言，含0.35微米以上占有比重仍达82％。截至2003年底为止的比重分布来看，由于新6吋、8吋厂陆续投产，使得8吋，含0.25微米以下生产线的占有比重较2002年底时明显提升，而8吋晶圆厂生产线已逐渐成为大陆晶圆厂的发展重点以及产能供应主力。

《图三 大陆晶圆厂尺吋及制程能力分布》 数据源：工研院IEK；2003/12

就技术能力而言，技术层次仍以外商、过去的台湾经理人所筹设的晶圆厂较高。近两年来，中芯在寻求技术合作或是策略联盟的动作频频。分别与Toshiba、Elpida、特许（Chartered）、Fujitsu、Infineon、TI取得或共研相关技术；其中中芯由TI技转0.13微米制程技术，并开始为TI作后段内部连线（interconnect）的制程服务为关键指标。

台湾IC制造业后续努力方向

在晶圆代工市场当中，台湾业者在高阶制程面临了拥有丰富研发能量及实力之IBM的积极切入，在中低阶制程除了新加坡特许、韩国东部以外，还有中芯、宏力…业者的急起直追，在腹背受敌的考验之下，台湾业者更应认清自已的定位，集中资源作最有效的应用及配置，以巩图竞争地位。台湾IC制造业后续努力的方向如下：

提升先进制程技术能力，保持竞争优势

面对其他竞争者的竞争，提高先进制程技术水平仍是根本之道；此外，台湾通讯制程技术相对较薄弱，亦是亟待加强之处，以因应未来3C整合关系更为密切的发展趋势。

就IC布局部份:强化Design、IP reuse的观念与能力;提供更完整的IP Library及Design Service;加强嵌入式制程技术则为当务之急。

评估12吋厂投资效益，争取高阶订单

就12吋厂布局部分,亦是需持续进行的重要投资标的,以降低成本,辅以先进制程技术的不断升级,利于争取未来IDM先进(Leading-edge)代工订单。

适度的大陆布局，增加伺机而动之弹性

8吋晶圆厂制程技术横跨0.5、0.35、0.25、0.18、0.15与0.13微米等六个世代，技术差距大，所锁定的目标产品亦大不相同，目前台湾有条件开放赴中国大陆投资晶圆厂的对象中，只有大于0.25微米等较低阶的技术或是闲置的设备移往大陆，由于部份相对老旧的设备即使摆在国内，使用的效率相对不高，加上折旧多半已摊提完毕，若能将其挪至中国大陆再利用，对于台湾业者而言，亦为多了一项有效利用资源的选择方案。台湾政府已有条件开放8吋晶圆厂赴大陆投资，国内业者可伺机而动，即早卡位，进一步增加对于大陆产业群聚效益之影响力，甚至进一步主导大陆IC产业之发展。 （作者任职于工研院）