M31发表台积电N12e制程低功耗IP 推动AIoT创新

M31在北美开放创新平台生态系统论坛（TSMC North America 2023 Open Innovation Platform (OIP) Ecosystem Forum）上，由M31技术行销??总-Jayanta发表演讲，展示M31在台积电N12e制程平台上的低功耗矽智财（IP）解决方案，并第七度获颁台积电特殊制程IP合作夥伴奖的肯定。

图一 : M31技术行销??总-Jayanta．展示M31在台积电N12e制程平台上的低功耗矽智财

在人工智慧化的物联网装置及其他高效率、高效能的边缘装置应用发展浪潮下，M31也紧跟台积电N12e制程技术平台发展脚步，针对AIoT市场对於速度、功耗、成本面积不同的设计需求，开发一系列低功耗IP解决方案，可支援更高效能、更隹功率与更低漏电的要求，其中包括低功耗记忆体(Memory Compiler)、标准元件库 (Standard Cell Library) 、通用IO元件库 (General Purpose Input/ Output Library , GPIO)。

其中， M31推出两种不同特性的低功耗记忆体，分别是低电压设计的Low VDD记忆体和低漏电ULL记忆体。Low VDD记忆体支援0.6V的低电压，提供四种低功耗模式和频率调节技术(DVFS)，并透过M31读写辅助技术可确保在低电压操作时的稳定性。而M31低漏电ULL记忆体则使用台积电ULL bit-cell技术，可大幅提升静态低功耗的表现，达到节能设计的目标。
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