工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory；MRAM）相關技術重要論文，引領創新研發方向，並為新興記憶體領域中發表篇數最多者。

圖一 : 工研院在全球指標性的IEDM中發表新興記憶體FRAM與MRAM相關成果，未來應用發展潛力可期。

IEDM為年度指標性的半導體產業技術高峰會議，每年由來自全球最頂尖的半導體與奈米科技專家一同探討創新的電子元件發展趨勢，工研院的多篇新興記憶體於會中發表，展現團隊深耕記憶體領域獲國際肯定的豐碩成果，同時發表論文的機構包括英特爾、台積電、三星等國際頂尖半導體公司。

工研院電光系統所所長吳志毅表示，5G與AI時代來臨，摩爾定律一再向下的微縮，半導體走向異質整合，不同的技術整合性越來越強，能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色。新興的FRAM及MRAM讀寫速度比大家所熟知的快閃記憶體快上百倍、甚至千倍。
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