Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

Vishay宣佈推出新型20-V和30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件採用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。

圖一 : Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V時）及 5.5 mΩ（在4.5 V時）的超低導通電阻。這些值比一般30-V器件低27%（在10 V時）和28%（在4.5 V時），比一般25-V SO-8器件分別低28%和15%。30-V Si7135DP的導通電阻為 3.9 mΩ（在10 V時）和6.2 mΩ（在4.5 V時），比一般同類器件分別低13%（在10 V時）和19.5%（在4.5 V時）。

兩款 MOSFET均採用PowerPAK SO-8封裝，可容許比其他SO-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。
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