工研院研發的電阻式非揮發性記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研發成果，獲選在2008國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)，向全球電機電子研發菁英發布最新技術進展。

RRAM具有下世代非揮發性記憶體的潛力而備受業界關注，預計在未來有機會取代快閃記憶體（Flash）及DRAM。工研院電光所自2006年開始進行RRAM研發，此次發表的RRAM研發進展包括：操作功率遠低於目前已發表的RRAM，最低可達23奈安培的電流及1.5V的低電壓特性；操作時間也極為快速，可達10奈秒以下，媲美DRAM操作速度；具有5個電阻態，可進行多階操作；讀寫次數可達106次；以及在200℃的溫度下，資料可儲存10年以上之優異特點。此外，還具有運用與業界高相容性的高介電常數材料(high-K)及金屬及製程結構簡單之特點，突破現今運用鉑等貴金屬材料及複雜製程的RRAM，能快速實現RRAM移轉業界進行量產之可能性。