在迎來高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影時代之際，比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性。

由ASML與imec聯手在荷蘭費爾德霍溫建立的微影實驗室正式啟用，為推動High-NA EUV技術邁向量產立下了里程碑。記憶體和邏輯晶片的頂尖製造商現在可以使用首款0.55NA高數值孔徑（high-NA）EUV曝光原型機TWINSCAN EXE:5000及周邊基礎設施，包含塗佈及顯影機、量測工具、晶圓及光罩處理系統。在IDM及晶圓代工廠的晶圓廠房開始運作這些微影機台之前，imec與ASML將協助他們降低這項圖形化技術的開發風險，並支援他們開發專有的High-NA EUV應用案例。

實驗室未來也會開放給更廣泛的供應商生態系統來使用。實驗室的顯影設施將能讓他們在High-NA EUV專用材料與設備的工程設計領域成為先鋒。實驗室的第三類使用者則是imec及其先進圖形化研究計畫的幾位夥伴，該計畫推動圖形化生態系統朝向High-NA EUV的未來技術世代發展。
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