根据媒体报导,不少半导体设备厂与后段测试厂,对目前多家国内DRAM厂宣布即将进行新旧制程转换的说法,仍持保留态度,表示新制程良率其实仍不稳定,产能大量转换成新制程的时间点应会延迟至第四季末才进行。
由于包括三星、南亚科、力晶、茂德等国内外DRAM厂,近来相继宣布0.13微米新制程良率获得重大突破,所产出的良品DRAM颗粒数,已经超过旧制程所产出的DRAM颗粒数,由于采用新制程已具经济规模与成本效益,因此第三季末可开始进行新旧制程大幅转换工作。
但是不少半导体设备厂与后段测试厂,却对此一说法态度保留,表示DRAM厂新制程良率其实仍不稳定,现在进行大规模的新旧制程转换风险很大,DRAM厂产能大量转换成新制程的时间点,应会延迟至第四季末。
部分前段制程设备厂业者指出,一般在八吋晶圆上以0.18微米旧制程量产128Mb DRAM,产出良率已达九成以上,产出颗粒数约达四百五十颗,而以0.13微米新制程量产相同容量DRAM,虽然单片晶圆产出数量可增加30%,但若良率未达70%以上,产出颗粒不会超过旧制程。