如今碳化矽（silicon carbide, SiC）晶片已是提升电动车效率，并延长续航里程的关键，博世正积极布局这个高速成长的市场，不仅正式推出第三代SiC晶片，并开始向全球汽车制造商提供样品、扩大产能，期盼获得越来越多电动车采用。

博世第三代 SiC 晶片效能提升 20%，尺寸较前一代更小

相较於传统矽晶片，因碳化矽半导体的切换速度更快、能源效率更高，可有效降低能耗，进而提升电子系统的功率密度。根据市场研究与顾问公司Yole Intelligence 分析，全球SiC 功率半导体市场规模预估将由2023年的23亿美元，成长至2029年约 92亿美元，主要成长动能来自电动车市场。

博世集团董事会成员暨交通移动事业群主席 Markus Heyn 表示：「碳化矽半导体是推动电动交通的关键助力，能控制能源流动并大幅提升其效率。博世透过新一代 SiC 晶片，正持续强化在该领域的科技领导地位；同时协助客户，打造效能更强、效率更高的电动车，成为在电动交通领域的全球领导SiC晶片制造商。」

值得一提的是，博世第三代SiC晶片同时具备科技优势与经济效益，扮演推动高效能电子系统普及化的关键角色。其中「微型化」设计正是提升成本效率的关键，可让每片晶圆产出更多晶片。

经调整自1994 年起即存在并广为业界所知的「博世制程（Bosch process）」蚀刻，可在 SiC 材料中形成高精度垂直结构，大幅提升晶片的功率密度。Heyn表示：「博世新一代的SiC晶片效能因此提升20%，且尺寸明显较前一代更小，缩小晶片体积同时，仍全面强化车用驱动电子系统效能。」

自2021年第一代 SiC晶片开始量产以来，博世已於全球供应超过6,000 万颗SiC 晶片，近年来持续加强研发，同时提升制造产能与无尘室规模。作为欧洲共同利益重要计划（Important Project of Common European Interest, IPCEI）中的微电子和通讯科技专案一环，博世已在半导体领域投资约 30 亿欧元。

目前博世已在位於德国罗伊特林根（Reutlingen）的晶圆厂开发、生产第三代SiC晶片，并采用8寸晶圆制程。2025年初，博世於美国加州罗斯维尔（Roseville）收购第二座 SiC 晶片制造厂，正导入先进、复杂度高的生产设备。未来将针对该美国晶圆厂额外投入19亿欧元，预计於今年生产第一批SiC晶片作为样品，提供客户测试。

Heyn 表示：「未来，博世将自位於德国及美国的晶圆厂供应创新 SiC 晶片。」这将为快速推动电气化的汽车产业，强化并打造更具韧性的供应链。中期来看，博世计画将其SiC功率半导体产能提升至数亿颗等级。