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三菱将放弃DRAM生产 全数外包给力晶代工
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年12月22日 星期五

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与力晶半导体策略联盟的日商三菱,内部规划将放弃DRAM生产,全数转至闪存及嵌入式DRAM,三菱并计划自2001年起,将DRAM全数外包给力晶代工,目前双方正密切洽谈DRAM产能外包计划。

三菱这项动作,勘称日本DRAM厂最大变革者,对于联盟伙伴力晶而言,也是一大利多,不过三菱放弃生产标准型DRAM,却不代表放弃DRAM的技术研发,三菱未来仍将致力与力晶合作开发DRAM先进制程。

力晶表示,力晶一厂月产能为3.7万片8吋晶圆,明年将以制程能力,致力提升至近4万片晶圆的超高产能,而积极规划晶圆二厂的力晶,计划晶圆一厂生产利基型DRAM、闪存、影像显示器(CMOS Sensor)等产品,晶圆二厂则生产标准型DRAM的12吋晶圆,晶圆二厂更高阶的DRAM技术将由双方合作开发。

關鍵字: DRAM  三菱  力晶 
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