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國內各DRAM廠製程競賽加溫
明年將導入0.14微米製程 生產256MB產品

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2000年09月05日 星期二

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茂德、華邦、力晶及南亞科技「製程競爭」愈演愈熾,4家廠商不約而同明年將主流製程由0.175微米導入0.14微米製程,生產256MB DRAM(動態隨機存取記憶體)以上高階產品,預計產能增加6成左右,晶片產出成本大幅降低。

國內4大DRAM廠今年紛紛引進0.175微米世代製程,產能明顯增加,下半年營收不斷提升,為維持競爭優勢,茂德率先於今年7月開始轉換0.175微米世代製程至0.14微米,試產128Mb及256Mb DRAM。

關鍵字: DRAM  茂德  華邦  力晶  南亞科技  動態隨機存取記憶體 
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