全球高效能半导体解决方案供应商Fairchild推出FDMQ8205，强化其GreenBridge主动桥式四MOSFET 技术；FDMQ8205 是新一代GreenBridge 系列的首款产品，适用于透过乙太网路供电(POE) 获得电源的各种应用，例如监控摄影机、无线存取点、LED 照明及供电装置(PD)。设计人员可利用 GreenBridge 解决方案的 Rdson 效能、超精巧尺寸，以及卓越的散热效能，降低装置的作业温度、提升效率及缩小解决方案尺寸。

GreenBridge 在散热、效率及大小方面均优于 POE PD 使用的二极体。

先进的 GreenBridge 技术遵循 IEEE 802.3at 标准，耗电量比萧特基二极体低上 10 倍。散热效能可协助设计人员减少或消除散热片，以简化产品设计、降低 BOM 成本，并缩小 PCB 尺寸。

快捷智慧电源FET 部门副总裁Suman Narayan 表示：「热能问题一向是关键的设计挑战，对需要25.5W 以上的新一代物联网装置而言更是棘手。本公司最新GreenBridge 装置采用先进的MOSFET 技术，协助设计人员消除过多热能，并达成其他设计目标，包括提升效率、确保遵循标准、缩小整体尺寸及降低成本。」

新一代 GreenBridge 系列极低的导通损失是另一项重要优势，因为对输入功率有限的 POE 系统而言，必须提供最高的功率及电压。 GreenBridge 系列具备最佳化的 Rdson 效能，采用最佳化的 PowerTrench MOSFET 技术，提供功率转换效率，导通损失比最接近的竞争对手低 47%。

GreenBridge 装置尺寸精巧，也适合用于需要比之前产品更小的新款 POE 型装置。 GreenBridge 装置仅 4.5 mm x 5 mm，以全桥连接的 MLP 封装容纳四个 MOSFET。 GreenBridge 装置不需要使用外接驱动器，可节省额外的 PCB 空间，进一步发挥本身尺寸精巧的优势。新款 FDMQ8205 即日起可量产供货。 (编辑部陈复霞整理)