Diodes公司推出两款符合汽车规格的碳化矽 (SiC) MOSFETDMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列N通道MOSFET产品可满足市场对SiC解决方案不断成长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV)车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器(OBC)、高效DC-DC转换器、马达驱动器及牵引变流器。

Diodes公司推出两款符合汽车规格的碳化矽 (SiC) MOSFET，可提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV)车用子系统的效率及功率密度。

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200V_DS范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在_15Vgs时具有 75m? (典型值) 的 R_DS(ON) 规格。此装置适用於 OBC、汽车马达驱动器、EV/HEV中的DC-DC转换器以及电池充电系统。

DMWSH120H28SM4Q可在最高1200V_DS、+15/-4V_gs 的条件下运作，且在 15V_gs时具有较低的20mΩ (典型值) R_DS(ON) 。此 MOSFET适用於其他EV/HEV子系统中的马达驱动器、EV牵引变流器及DC-DC转换器。凭藉低 R_DS(ON) 的特性，在需要高功率密度的产品应用中，此系列MOSFET能以较低的温度运作。

这两款产品均有低导热率 (R_θJC=0.6。C/W)，DMWSH120H90SM4Q的汲极电流高至40A，DMWSH120H28SM4Q 的汲极电流高至100A。此系列也内建快速且稳健的本体二极体，具有低反向复原电荷 (Q_rr)，在 DMWSH120H90SM4Q中为108.52nC，在DMWSH120H28SM4Q中为 317.93nC，能够执行快速切换并降低功率损耗。

此系列装置采用TO247-4 (WH型)封装，提供额外的凯氏感测 (Kelvin-sensing) 接脚。DMWSH120H90SM4Q与DMWSH120 H28SM4Q均符合AEC-Q101标准。