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【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2009年04月29日 星期三

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快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)针对可携式应用的设计人员推出一款20V、体积为2mm x 2mm x 0.55mm的薄型MicroFET MOSFET组件,它具有业界最低的RDS(ON)。FDMA6023PZT是一款采用紧凑、薄型封装的双P信道MOSFET,能够满足可携式设计的严苛要求,采用延长电池寿命的技术,实现更薄、更小的应用。

薄型MicroFET MOSFET组件
薄型MicroFET MOSFET组件

FDMA6023PZT采用超薄的导线架暴露((lead-frame exposed)之MicroFET封装,与传统的MOSFET相比,它具有出色的热阻,能提供卓越的功率耗散,并可减少传导损耗。该组件采用快捷半导体PowerTrench MOSFET制程技术,可获得极低的RDS(ON)值、总体栅级电荷(QG)和米勒电荷(QGD)—这些都是可以产生出色传导和开关性能之强项。

快捷表示,FDMA6023PZT是该公司完整的MicroFET MOSFET产品系列的一员,在因应当今功能丰富之可携式应用的功率设计挑战方面,具有关键性的作用,该产品系列包括20V P信道PowerTrench MOSFET组件FDMA1027PT,以及带有肖特基二极管的20V P信道PowerTrench MOSFET组件FDFMA2P853T。与常用于低压设计的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET组件相比,这些产品的体积缩小了55% ,而高度则降低达50%。

關鍵字: MOSFET  Fairchild 
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