Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。

Littelfuse新款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET--CPC3981Z，适合工业、能源、电讯和LED照明市场的电源应用。

与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚，将漏极与闸极之间的引脚间距，从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理，实现精巧的印刷电路板布局。爬电距离的延长有利於开关模式电源（SMPS）或功率因数校正（PFC）启动电路等更高电压应用，设计人员因此可以避免昂贵的保形涂料或灌封。

CPC3981Z的主要区别在於其改进型SOT-223-2L封装，使设计人员能够利用小型分离式元件满足更高电压应用所需的延长爬电距离。CPC3981Z由於具有较大的爬电距离，提高电路的可靠性，并有助於节约成本。CPC3981Z的800V额定阻断电压使其符合工业、能源、电讯和LED照明等应用。

CPC3981Z耗尽型MOSFET产品提供卷带包装，客户可通过Littelfuse全球各地的授权经销商索取样品。