根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓（HV）與中電壓（MV）CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置，推動數位化與低碳化進程。這兩項產品系列均由英飛凌位於馬來西亞的據點生產，採用英飛凌內部高效能的8 吋晶圓製程製造。藉此，英飛凌擴大CoolGaN的優勢與產能，在GaN裝置市場中確保強大的供應能力。而

英飛凌新一代 CoolGaN電晶體系列

「繼去年英飛凌收購GaN Systems 並以此為基礎，今天，我們再度在CoolGaN 產品宣布新的進展。」英飛凌電源與感測系統事業部總裁 Adam White 表示：「新一代 CoolGaN 系列高電壓及中電壓產品不僅體現英飛凌的產品優勢，更完全採用 8 吋晶圓製程製造，展現 GaN 快速擴展至更大晶圓製程的能力。我很高興看到我們的客戶能夠利用新一代 GaN 實現各種顛覆性的應用。」

全新 650 V G5 系列是英飛凌新一代 GIT 型高電壓產品，適用範圍涵蓋消費性、資料中心、工業及太陽能應用。採用 8 吋製程的第二項新系列為中電壓 G3 裝置，包括電壓等級 60 V、80 V、100 V 和 120V 的 CoolGaN 電晶體，以及 40 V 雙向開關（BDS）裝置。中電壓 G3 產品的目標應用包含馬達驅動、電信、資料中心、太陽能與消費性應用。CoolGaN 650 V G5 預計將於 2024 年第四季上市，中電壓 CoolGaN G3 則將於 2024 年第三季開始供應。目前已開始提供樣品。