【德國慕尼黑訊】英飛淩科技（Infineon）針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢，推出全新700V CoolMOS P7系列。相較於目前所用的超接面技術，全新MOSFET的效能適用於軟切換拓墣應用，包括智慧型手機、平板電腦充電器，還有筆記型電腦電源供應器。此外，新款CoolMOS也支援電視電源供應器、照明、音訊與輔助電源的快速切換及高功率密度設計要求。新產品系列優化了外型尺寸，可達成極輕薄設計的目標。

英飛淩針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢，推出全新700V CoolMOS P7系列。

在切換損耗(Eoss)的表現方面，相較於市面上其他品牌產品，新款700 V CoolMOS P7 技術可將切換損耗減改善幅度由27% 提昇至 50%。應用於返馳式充電器時，這項技術可提升全機效率多達3.9%，此外，裝置溫度最多可降低 16 K。與先前的 650 V C6 技術相比，平均效率提升 2.4%，裝置溫度下降 12 K。

新款產品整合稽納二極體，確保其具備更高的 ESD 耐受性，最高達到 HBM Class 2 等級。如此一來，可改善組裝產能，進而減少生產相關故障並省下製造成本，最終提升客戶獲利能力。此外，700 V CoolMOS P7 的 RDS(on)*Qg 與 RDS(on)*EOSS 極低，因此耗損相對較低。相較於 C6 技術和其他競爭對手的產品，最新系列還具備額外 50 V 的阻斷電壓。

考量到使用便利性，該項技術在設計上採用 3 V 的 VGSth，誤差僅 +/-0.5 V，因此能輕易將全新 P7 系列整合到設計中，並可採用更低的閘極源極電壓，進而更容易驅動且能減少閒置損耗。尤其對於注重價格的市場來說，700 V CoolMOS P7 擁有吸引人的性價比，能幫助客戶取得更多的競爭優勢。

700 V CoolMOS P7 系列採用最相近的 RDS(on) 封裝組合，包括 360 m? 到 1400 m? 的 IPAK SL、DPAK 和 TO-220FP 封裝。英飛凌不久後也將推出該超接面技術 RDS(on) 範圍的其他版本，並搭配創新封裝產品。