諾發系統宣布開發出一種製造工藝來延伸公司的SPEED MAX系統在隔離淺溝槽（STI）充填沉積應用到32奈米技術節點。這種新工藝技術利用SPEED MAX高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD）的平台發揮動態配置控制(DPC)的功能效果。

控制濺射到沉積（S / D值）的比例並產生連續式的沉積/蝕刻來編織需要的輪廓，諾發系統工程師使用氟（SPM- F）開發出這種單次，連續調製輪闊技術以填補32奈米功能架構。此一製程同時也能可滿足嚴格的STI邏輯應用的整合上需求和量產製造的必要條件。

隨著半導體製造商轉移到32奈米以後，需要以最少的硬體修改擴展現有的平台技術是至關重要的，不僅要滿足發展的時間表，而且要管理製造成本。由於改變新材料會增加整合上的不確定以及用來取代的新沉積薄膜技術有很多不可取的特質，所以HDP仍是先進的填充幾何結構介質技術首選。然而，要達到32奈米以後之間隙充填需求，傳統HDP沉積過程中，利用交替沉積和蝕刻週期填補功能必須小心控制。太多的沉積/蝕刻週期，或控制過程的不一致性，會導致過多的消減或產生坑道內的空洞而損失晶圓良率。加入濕法刻蝕的過程是可以克服填空不足但會增加成本及整合的複雜性和生產率低下降。為了實現完整的填空能力而不使用濕法刻蝕步驟，必須調整最佳化晶圓上製程參數，如S / D值，化學反應和蝕刻均勻性。諾發系統已發展了SPPED MAX系統平台上SPM- F填充製程來除去額外濕式蝕刻的步驟。利用SPEED MAX的密集電漿源和DPC技術，減少結構上端氧化程度並消除在高低密集陣列上的切剪效應來完成填充的32奈米結構。